SI6413DQ-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 8.8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):800mV @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
SI6413DQ-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 8.8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):800mV @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 14K OHM 1/8W 0.5% 1206
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS SKT 72"
- 接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 38-TFSOP(0.173",4.40mm 寬) IC SLIC/CODEC 1CH 38TSSOP
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
- 評估演示板和套件 Texas Instruments 非標準 BOARD EVAL FOR LMH0384
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 15K OHM 1% AXIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
- 固定式 Signal Transformer 非標準 INDUCTOR SMD 6.8UH 1.68A 1KHZ
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 1.21K OHM 1/8W 0.5% 1206
- 接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 42-WFQFN 裸露焊盤 IC PROSLIC FXS -110V 42QFN
- 光學 - 光電檢測器 - 光電二極管 Advanced Photonix Inc TO-8 密封 PHOTODIODE BI-CELL TO-8
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 1.21K OHM 1% AXIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 獨立編程器 Freescale Semiconductor 非標準 ENHANCED VERSION
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS SKT SOLDER CUP
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