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SI6459BDQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6459BDQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6459BDQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6459BDQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6459BDQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6459BDQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

T495E107K020ATE060
鉭 Kemet 2824（7260 公制） CAP TANT 100UF 20V 10% 2824
SR075C103KAA3159
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 50V 10% RADIAL
MS3100E20-29PW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 17POS WALL MNT W/PINS
SI6415DQ-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
MS3106E14S-2S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 4 POS STRAIGHT W/SCKT
SR211A2R0DAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 2PF 100V RADIAL
MS27497T16F8S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS WALL MNT W/SCKT
SR075C103KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 50V 10% RADIAL
T495E107K020ATE060
鉭 Kemet 2824（7260 公制） CAP TANT 100UF 20V 10% 2824
MS3106E14S-2SXF187
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 4 POS STRAIGHT W/SCKT
SR211A331FAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 330PF 100V 1% RADIAL
T495E227K016ATE100
鉭 Kemet 2824（7260 公制） CAP TANT 220UF 16V 10% 2824
SR075C103KAR3244
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 50V 10% RADIAL
MS27497T16F99P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 23POS WALL MNT W/PINS
MS3100E20-29SZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 17POS WALL MNT W/SKTS

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