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SI6467BDQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：850mV @ 450µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.05W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6467BDQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：850mV @ 450µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.05W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6467BDQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：850mV @ 450µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.05W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6467BDQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：850mV @ 450µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.05W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6467BDQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：850mV @ 450µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.05W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6467BDQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：850mV @ 450µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.05W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

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時鐘/計時 - 實時時鐘 EPSON 20-VSOJ IC REAL TIME CLOCK 20-VSOJ
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接口 - UART（通用異步接收器/發送器） Exar Corporation 64-LQFP IC UART FIFO 64B QUAD 64LQFP
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功率 Signal Transformer 2-SMD XFRMR PWR 115V 12VAC .50A
SSCDRNN250MGAA5
壓力 Honeywell Sensing and Control 8-DIP（0.525"，13.35mm），側端口 SENSOR PRES .25BAR GAUG 5V DIP
ST173C10CFP0
SCR - 單個 Vishay Semiconductors TO-200AB，A-PUK SCR INVERTER 1000V 330A A-PUK
RTC-8564JE:B3:ROHS
時鐘/計時 - 實時時鐘 EPSON 20-VSOJ IC REAL TIME CLOCK 20-VSOJ