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SI6926ADQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6926ADQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6926ADQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6926ADQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6926ADQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6926ADQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

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芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 178 OHM 1/16W .25% SMD 0402
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熱縮管 TE Connectivity 2010（5025 公制） HEAT SHRINK TUBING
RT0805CRD07137KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 137K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI4210-T-IF-EVB
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