SI6963BDQ的供應信息|PDF資料|求購SI6963BDQ上51電子網

SI6963BDQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 3.4A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 3.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6963BDQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 3.4A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 3.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6963BDQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 3.4A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 3.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6963BDQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 3.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6963BDQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 3.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6963BDQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 3.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI1029X-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET N/P-CH COMPL 60V SOT563F
SR151C471JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
MMSZ5231BS-7
單二極管/齊納 Diodes Inc SC-76，SOD-323 DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD-323
SSQ-135-03-S-D-RA
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 70PS DL R/A GOLD
SRF0703-330M
陣列，信號變壓器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 33UH SMD
SMA6J170CA-TR
TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TRANSIL 600W 170V BIDIRECT SMA
SI5010-EVB
評估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盤 BOARD EVALUATION FOR SI5010
MMSZ5231BT1G
單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD-123
RY-2409D
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC 1W 24VIN +/-09VOUT
SSQ-135-03-S-S
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 35POS SNGL GOLD
SRF0703-470M
陣列，信號變壓器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 47UH SMD
SMA6J17A-E3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 600W 17V 5% SMA
SI-50139-F
模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector 20-VFQFN 裸露焊盤 CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX G/Y
MMSZ5231BT3
單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD-123
RY-2412D/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC 1W 24VIN +/-12VOUT

91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av