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SI7403BDN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：74 毫歐 @ 5.1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 10V; 功率_最大：9.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7403BDN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：74 毫歐 @ 5.1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 10V; 功率_最大：9.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7403BDN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：74 毫歐 @ 5.1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 10V; 功率_最大：9.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7403BDN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：74 毫歐 @ 5.1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 10V; 功率_最大：9.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7403BDN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：74 毫歐 @ 5.1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 10V; 功率_最大：9.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7403BDN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：74 毫歐 @ 5.1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 10V; 功率_最大：9.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI9926BDY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
SI7388DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC
STPIC6C595M
邏輯 - 移位寄存器 STMicroelectronics 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SHIFT REGISTER 16 SOIC
SM4124FT1R40
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 1.4 OHM 2W 1% WW 4124
SSH-LXH4670
配件 Lumex Opto/Components Inc LED 7.8X5.2MM BEZEL/CLIP BLK NYL
SY89876LMI TR
時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅動器 Micrel Inc 16-VFQFN 裸露焊盤，16-MLF? IC CLK BUFF DVDR 1:2 2GHZ 16-MLF
STS11NF30L
FET - 單 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
SW-6
通道，DIN 導軌 Curtis Industries TERM BLOCK TRACK 6 POLE
SI9926CDY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC
SM4124FT20L0
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 0.02 OHM 2W 1% WW 4124
SYM-001T-P0.6(N)
矩形 - 觸點 JST Sales America Inc 16-VFQFN 裸露焊盤，16-MLF? CONN PIN 22-28AWG TIN CRIMP
SSH-LXH501
配件 Lumex Opto/Components Inc BEZEL LED PANEL 5MM BLACK NYLON
SI9933CDY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC
SW6 CL008
螺線形繞線，伸縮套管 Alpha Wire SPIRAL WRAP POLY 1" X 25’
STS121RA04
Slide Switches TE Connectivity 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） SWITCH SLIDE 2POS R/A BLACK T/H

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