SI7450DP-T1 全國供應商、價格、PDF資料

SI7450DP-T1-E3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：Digi-Reel®

SI7450DP-T1-E3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：帶卷 (TR)

SI7450DP-T1-E3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：剪切帶 (CT)

SI7450DP-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：Digi-Reel®

SI7450DP-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：帶卷 (TR)

SI7450DP-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：剪切帶 (CT)

• SSK-105-S-G

  板至板 - 接頭，插座，母插口    Samtec Inc    868-BGA    CONN RCPT .100" 5POS GOLD T/H

• SM4124FT8R45

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    4124 J 形引線    RES 8.45 OHM 2W 1% WW 4124

• SZ1SMB28CAT3G

  TVS - 二極管    ON Semiconductor    DO-214AA，SMB    TVS ZENER 600W 28V SMB

• SI7447ADP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

• STPS1045B

  單二極管/整流器    Vishay Semiconductors    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    DIODE SCHOTTKY 45V 10A D-PAK

• STS4DNFS30L

  FET - 單    STMicroelectronics    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC

• SWH120-PULG-S11-UU-WH

  矩形 - 外殼    Sullins Connector Solutions    徑向    CONN RECEPT 1.25MM 11POS

• SIA813DJ-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SC-70-6 雙    MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

• SM4124FT976R

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    4124 J 形引線    RES 976 OHM 2W 1% WW 4124

• STPS1045BY-TR

  單二極管/整流器    STMicroelectronics    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK

• SWH201-NULN-S06-UU-WH

  矩形 - 外殼    Sullins Connector Solutions    徑向    CONN RCPT 2.0MM SNGL WHITE 6POS

• SIA850DJ-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SC-70-6 雙    MOSFET N-CH 190V 950MA SC70-6

• STS4DPF30L

  FET - 陣列    STMicroelectronics    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC

• SZ1SMB5913BT3G

  TVS - 二極管    ON Semiconductor    DO-214AA，SMB    TVS ZENER 3W 3.3V SMB

• SM4124FTR169

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    4124 J 形引線    RES 0.169 OHM 2W 1% WW 4124