SI7501DN 全國供應商、價格、PDF資料

SI7501DN-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N/P-CH 30V PWRPAK 1212-8

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A，4.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 7.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8

供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8

包裝：剪切帶 (CT)

SI7501DN-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N/P-CH 30V PWRPAK 1212-8

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A，4.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 7.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8

供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8

包裝：帶卷 (TR)

SI7501DN-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N/P-CH 30V PWRPAK 1212-8

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A，4.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 7.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8

供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8

包裝：Digi-Reel®

SI7501DN-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N/P-CH 30V PPAK 1212-8

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A，4.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 7.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8

供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8

包裝：剪切帶 (CT)

SI7501DN-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N/P-CH 30V PPAK 1212-8

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A，4.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 7.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8

供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8

包裝：Digi-Reel®

SI7501DN-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N/P-CH 30V PPAK 1212-8

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A，4.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 7.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8

供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8

包裝：帶卷 (TR)

• SM4124FTR750

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    4124 J 形引線    RES 0.75 OHM 2W 1% WW 4124

• SZBZX84C10LT1G

  單二極管/齊納    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE ZENER 225MW 10V SOT-23-3

• ST3232ECTR

  接口 - 驅動器，接收器，收發器    STMicroelectronics    16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC DRVR/RCVR RS232 ESD 16-TSSOP

• SI7501DN-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET N/P-CH 30V PWRPAK 1212-8

• SSK-136-S-G

  板至板 - 接頭，插座，母插口    Samtec Inc    868-BGA    CONN RCPT .100" 36POS GOLD T/H

• SIB455EDK-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SC-75-6L    MOSFET P-CH D-S 12V SC-75-6

• SWLP.2450.12.4.B.02

  RF 天線    Taoglas Limited    模塊    ANTENNA WI-FI WLAN 2.4GHZ

• STTA112U

  單二極管/整流器    STMicroelectronics    DO-214AA，SMB    DIODE ULTRA FAST 1200V 1A SMB

• SZBZX84C12ET3G

  單二極管/齊納    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE ZENER 225MW 12V SOT-23-3

• SSL0.38SV100

  螺線形繞線，伸縮套管    Techflex    868-BGA    3/8" STAINLESS STEEL XC 100’

• SIB800EDK-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SC-75-6L    MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6

• ST3232ECWR

  接口 - 驅動器，接收器，收發器    STMicroelectronics    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC DRVR/RCVR 5.5V RS232 16-SOIC

• SW-QUARTUS-SE-FIX

  軟件    Altera    模塊    QUARTUS II ANNUAL SUBSCRIPTION

• STTA1206G-TR

  單二極管/整流器    STMicroelectronics    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    DIODE TURBO 12A 600V D2PAK

• SM4124FTR887

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    4124 J 形引線    RES 0.887 OHM 2W 1% WW 4124