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SI7703 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SI7703EDN-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:48 毫歐 @ 6.3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 800µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
包裝:剪切帶 (CT)

SI7703EDN-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:48 毫歐 @ 6.3A,4.5V
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輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
包裝:Digi-Reel®

SI7703EDN-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:48 毫歐 @ 6.3A,4.5V
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輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
包裝:帶卷 (TR)

SI7703EDN-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:48 毫歐 @ 6.3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 800µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
包裝:Digi-Reel®

SI7703EDN-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:48 毫歐 @ 6.3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 800µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
包裝:帶卷 (TR)

SI7703EDN-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:48 毫歐 @ 6.3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 800µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
包裝:剪切帶 (CT)

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