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SI7802DN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.24A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：435 毫歐 @ 1.95A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7802DN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.24A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：435 毫歐 @ 1.95A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7802DN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.24A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：435 毫歐 @ 1.95A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7802DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.24A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：435 毫歐 @ 1.95A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7802DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.24A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：435 毫歐 @ 1.95A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7802DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.24A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：435 毫歐 @ 1.95A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

MS3106R16S-1S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 7POS STRAIGHT W/SCKT
SY100EPT21LZC
邏輯 - 變換器 Micrel Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TRANSLATOR DIFF 3.3V 8-SOIC
STY112N65M5
FET - 單 STMicroelectronics MAX247? MOSFET N-CH 650V 93A MAX247
SI7790DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 40V 50A PPAK 8SOIC
MS3101A20-21S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations 軸向 CONN RCPT 9POS FREE HNG W/SCKT
SMLA12WBC7W1KQ
LED - 分立式 Rohm Semiconductor CHIP LED, TYPE SIDE VIEW PKG
SY100EPT21LZG
邏輯 - 變換器 Micrel Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TRANSLATOR DIFF 3.3V 8-SOIC
MS27656E15B35PB
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 37POS WALL MNT W/PINS
MS3106R16S-1S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 7POS INLINE W/SKTS
MS3101A20-23P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations 軸向 CONN RCPT 2POS FREE HNG W/PINS
MS3106R16S-4S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 2POS STRAIGHT W/SCKT
SY100EPT22VKG
邏輯 - 變換器 Micrel Inc 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC TRANSLATOR DIFF 3.3V 8-MSOP
SMLA13WBDW1
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0605（1613 公制） LED WHITE SIDE VIEW SMD
MS27656E15B35SA
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 37POS WALL MNT W/SCKT
SI7806ADN-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

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