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SI7844DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7844DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7844DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7844DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7844DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7844DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

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VI-B5R-EW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W
SL05 4R003
涌入電流限制器 (ICL) Ametherm DO-219AB CURRENT LIMITER INRUSH 4 OHM 3A
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VI-B3N-IY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 50W
VJ1812A750JBGAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 75PF 1KV 5% NP0 1812