SI7872DP-T1 全國供應商、價格、PDF資料
SI7872DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 7.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7872DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 7.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7872DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 7.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7872DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 7.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7872DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 7.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7872DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 7.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR 47UH 2.4A 20% SMD
- 固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR 6.1UH 6.6A SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC
- 鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 0603(1608 公制) FERRITE CHIP 300 OHM 300MA 0603
- LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 徑向 LED T-10MM 605NM AMBER CLEAR
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc 徑向,Can CONN RCPT .100" 2POS GOLD T/H
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS BIDIR 400W 8.0V 5% SMA
- 固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR 4.2UH 5.5A 30% SMD
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 44-LQFP IC MCU 8BIT 32K FLASH 44-TQFP
- 鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 0603(1608 公制) FERRITE CHIP 120 OHM 200MA 0603
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc 徑向,Can CONN RCPT .100" 2POS TIN T/H
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS UNIDIR 400W 8.0V 10% SMA
- LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 徑向 LED T-10MM 660NM RED DIFF
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 32-SDIP(0.400",10.16mm) IC MCU 8BIT 8K FLASH 32-SDIP
- 固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR 7UH 5A 30% SMD
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