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SI7888DP 全國供應商、價格、PDF資料

SI7888DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 12.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7888DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 12.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SQCBEA821JATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 820PF 150V 5% 1111
SHIPLBL-088-50
標簽，標記 3M (TC) LABEL 5X3" RED ON WHITE 50/PK
SQCAEM2R2BATME\500
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 2.2PF 150V 0605
SR891C153KARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.015UF 100V 10% RADIAL
SI7882DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 12V PPAK 8SOIC
SR217A270JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 27PF 500V 5% RADIAL
SI4838DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
RT0603DRD0713KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 13K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SHIPLBL-089
標簽，標記 3M (TC) LABEL 10X8" BLACK ON RED 250/PK
SR891C222KARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 2200PF 100V 10% RADIAL
SQCBEM102JAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 1000PF 150V 5% 1111
SR217A330JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 33PF 500V 5% RADIAL
SI4840BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
SQCAEM2R4BAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 2.4PF 150V 0605
RT0603DRD07140KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 140K OHM 1/10W .5% 0603 SMD