91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

添加收藏夾 設為首頁 深圳服務熱線:13751165337  13692101218 網站地圖|企業名錄|IC詳細資料|熱門庫存|Pdf資料

51電子網Log圖片

IC供應PDF資料非IC供應

51電子網聯系電話:13751165337

當前位置:網站首頁 » 庫存索引43 » 型號"SI7892"的供應信息

SI7892 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
按地區:全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

SI7892BDP-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.2 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3775pF @ 15V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
包裝:剪切帶 (CT)

SI7892BDP-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.2 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3775pF @ 15V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
包裝:帶卷 (TR)

SI7892BDP-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.2 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3775pF @ 15V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
包裝:Digi-Reel®

SI7892BDP-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.2 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3775pF @ 15V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
包裝:Digi-Reel®

SI7892BDP-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.2 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3775pF @ 15V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
包裝:剪切帶 (CT)

SI7892BDP-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.2 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3775pF @ 15V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
包裝:帶卷 (TR)

SI7892供應商

查看更多SI7892的供應商
把51電子網設為首頁      把51電子網加入收藏夾
關于我們 | 會員收費標準 | 廣告服務 | 付款方式 | 友情鏈接 | 網站地圖 | 聯系我們 | 免責聲明
庫存上載:service@51dzw.com   
版權所有:51dzw.COM 粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn) 服務熱線(深圳):13751165337 13692101218 傳真:0755-83035052 投訴電話:0755-83030533


 復制成功!
瑞金市| 永州市| 大石桥市| 陵川县| 会同县| 峡江县| 台安县| 从江县| 丽水市| 芒康县| 扶余县| 北票市| 濮阳市| 洛南县| 柘城县| 察隅县| 辽宁省| 抚远县| 周口市| 宜昌市| 南阳市| 夏津县| 梁平县| 石渠县| 越西县| 沅江市| 公安县| 怀安县| 康平县| 大姚县| 博兴县| 贺兰县| 万山特区| 南宫市| 乐东| 罗甸县| 霍州市| 岚皋县| 黄冈市| 丰宁| 曲阜市|