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SI7898DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7898DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7898DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7898DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7898DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7898DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

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SI7898DP-T1-E3
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AC DC 轉換器 TDK-Lambda Americas Inc 非標準 PWR SUP 15V 21A SNG OUTPUT
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單二極管/整流器 STMicroelectronics DO-214AC，SMA DIODE ULTRA FAST 200V 1.5A SMA
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SZMMBZ5241BLT1G
單二極管/齊納 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 225MW 11V SOT-23
SIE854DF-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?（L） MOSFET N-CH D-S 100V POLARPAK
SSL-LX3044ID-12V
LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 徑向 LED 3MM 12V SHORT LENS RED DIFF
SWS-5.0-23
固定式 AlfaMag Electronics, LLC 非標準 INDUCTOR 24.7UH 5A 260KHZ SMD
STTH1R02RL
單二極管/整流器 STMicroelectronics DO-204AL，DO-41，軸向 DIODE ULTRA FAST 200V DO-41
SM-42TX203
微調器 Copal Electronics Inc TRIMMER 20K OHM 0.25W SMD
SZMMBZ5242BLT1G
單二極管/齊納 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 225MW 12V SOT-23