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SI7942DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 100V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫歐 @ 5.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7942DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 100V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫歐 @ 5.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7942DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 100V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫歐 @ 5.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7942DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 100V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫歐 @ 5.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7942DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 100V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫歐 @ 5.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7942DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 100V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫歐 @ 5.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

VI-B1L-EU-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W
SI2166-A10-FM
線性 - 視頻處理 Silicon Laboratories Inc * IC DEMODULATOR DVB-S/S2 48-QFN
VI-B3Y-CW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W
SL-122-G-10
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盤 CONN RCPT .100" 22POS GOLD PCB
SI7942DP-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DUAL N-CH 100V 8-SOIC
VI-B51-EV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 150W
VI-B0J-CX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
VI-BN4-IW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W
SI2300DS-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V SOT-23
SL-123-G-11
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盤 CONN RCPT .100" 23POS GOLD PCB
VI-B3Y-CW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W
VI-B51-EV-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 150W
VI-B0J-EX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
VI-BN4-IX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W
SI2301BDS-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

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