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SIF902EDZ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 20V 2X5 6-POWERPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 2x5; 供應商設備封裝：PowerPAK?（2x5）; 包裝：剪切帶 (CT)

SIF902EDZ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 20V 2X5 6-POWERPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 2x5; 供應商設備封裝：PowerPAK?（2x5）; 包裝：Digi-Reel®

SIF902EDZ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 20V 2X5 6-POWERPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 2x5; 供應商設備封裝：PowerPAK?（2x5）; 包裝：帶卷 (TR)

SIF912EDZ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 7.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 2x5; 供應商設備封裝：PowerPAK?（2x5）; 包裝：剪切帶 (CT)

SIF912EDZ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 7.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 2x5; 供應商設備封裝：PowerPAK?（2x5）; 包裝：Digi-Reel®

SIF912EDZ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 7.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 2x5; 供應商設備封裝：PowerPAK?（2x5）; 包裝：帶卷 (TR)

RV-1205D/R6.4
DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模塊（14 引線） CONV DC/DC 2W 12VIN +/-05VOUT
SRF2012-900Y
共模扼流圈 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 INDUCTOR COMMON MODE 90 OHM 25%
SIE868DF-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?（L） MOSFET N-CH D-S 40V POLARPAK
SR212A221JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 220PF 200V 5% RADIAL
RT1206DRD077K15L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 7.15K OHM 1/4W .5% SMD 1206
RW2-243.3S/H2/SMD
DC DC Converters Recom Power 16-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 18-36VIN 3.3VOUT
SR217C222MAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 2200PF 500V 20% RADIAL
SFH4505
紅外發射器，UV 發射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc SMR? EMITTER IR 950NM 5MM RADIAL
RV-1205S/P/R6.4
DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模塊（14 引線） CONV DC/DC 2W 12VIN 05VOUT
SR212A221JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 220PF 200V 5% RADIAL
RT1206DRD07806KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 806K OHM 1/4W .5% SMD 1206
RW-2409D
DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模塊（8 引線） CONV DC/DC 3W 18-36VIN +/-09VOUT
SR217C223MAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.022UF 500V 20% RADIAL
SFH4585
紅外發射器，UV 發射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 徑向 EMITTER IR 880NM 5MM RADIAL
RV-1205S/R8
DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模塊（14 引線） CONV DC/DC 2W 12VIN 05VOUT

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