SN7002N E6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:200mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 500mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 26µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
SN7002N E6433詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:200mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 500mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 26µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
SN7002N H6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:200mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 500mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 26µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
SN7002N H6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:200mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 500mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 26µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
SN7002N H6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:200mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 500mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 26µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:Digi-Reel®
SN7002N L6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:200mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 500mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 26µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
- LED - 電路板指示器,陣列,發光條,條形圖 Bivar Inc TO-277,3-PowerDFN LED YELLOW SMD
- 鉭 AVX Corporation 徑向 CAP TANT 10UF 10V 10% RADIAL
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC BUFFER NOR QUAD 2INP 14-SOIC
- FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
- 線性 - 音頻放大器 STMicroelectronics 25-Flexiwatt(彎曲和交錯引線) IC AMP AUDIO PWR 60W 25FLEXIWATT
- 邏輯 - 信號開關,多路復用器,解碼器 Texas Instruments 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC SWITCH BUS 8BIT FET 20-SOIC
- 固定式 Tamura 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 330NH 590MA 1210 2%
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-DIP(0.300",7.62mm) IC BUFFER NOR QUAD 2INP 14-DIP
- 鉭 AVX Corporation 徑向 CAP TANT 10UF 16V 10% RADIAL
- 線性 - 音頻放大器 STMicroelectronics 64-BQFP IC AMP PWM 200W BRIDGE 64HIQUAD
- 邏輯 - 信號開關,多路復用器,解碼器 Texas Instruments 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC SWITCH BUS 8BIT FET 20-SOIC
- 固定式 Tamura 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 390NH 530MA 1210 2%
- 邏輯 - 鎖銷 Texas Instruments 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC D-TYPE LATCH TRI-ST 20-SOIC
- 鉭 AVX Corporation 徑向 CAP TANT 10UF 20V 10% RADIAL
- 單二極管/齊納 Vishay General Semiconductor DO-220AA DIODE ZENER 43V 500MW 5% SMP
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