SPD04N60C3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:650V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫歐 @ 2.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3.9V @ 200µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
SPD04N60C3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-252
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:650V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫歐 @ 2.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3.9V @ 200µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:Digi-Reel®
SPD04N60C3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:650V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫歐 @ 2.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3.9V @ 200µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:帶卷 (TR)
SPD04N60S5詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫歐 @ 2.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 200µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22.9nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:580pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:Digi-Reel®
SPD04N60S5詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫歐 @ 2.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 200µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22.9nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:580pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:帶卷 (TR)
SPD04N60S5詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫歐 @ 2.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 200µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22.9nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:580pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 邏輯 - 信號開關,多路復用器,解碼器 Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC SELECTOR/MUX QUAD 2-1 16-SOIC
- FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402(1005 公制) RES 300 OHM 1/16W .5% SMD 0402
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603(1608 公制) RES 15.4KOHM 1/10W .1% SMD 0603
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-SOIC(0.209",5.30mm 寬) IC QUAD POS-NAND GATE 14-SOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊 FLAT CABLE 4COND 100M
- 接口 - 驅動器,接收器,收發器 Texas Instruments 28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC LINE DRVR/RCVR RS232 28-SOIC
- 邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能,可配置 Texas Instruments 6-UFDFN IC MULT-FUNC CONFIG GATE LP 6SON
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TSSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603(1608 公制) RES 162K OHM 1/10W .1% SMD 0603
- 加速計 Murata Electronics North America 12-SMD 模塊 ACCELEROMETER DUAL +/-2G SMD
- 邏輯 - 變換器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC XLATR/REPEATER HS 8-SOIC
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-SOIC(0.209",5.30mm 寬) IC QUAD POS-NAND GATE 14-SOP
- 邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能,可配置 Texas Instruments 6-UFDFN IC MULT-FUNC CONFIG GATE LP 6SON
- 邏輯 - 緩沖器,驅動器,接收器,收發器 Texas Instruments 20-SSOP(0.209",5.30mm 寬) IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20SSOP
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