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SPD07N60C3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：650V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 350µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 25V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPD07N60C3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：650V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 350µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 25V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SPD07N60C3T詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：650V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 350µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 25V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SPD07N60C3T詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：650V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 350µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 25V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：Digi-Reel®

SPD07N60C3T詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：650V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 350µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 25V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPD07N60S5詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 350µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：970pF @ 25V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

T491V227M010AT
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 220UF 10V 20% 2917
SPP80N06S2-H5
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
SA101E104ZAC
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 0.1UF 100V AXIAL
SPD07N60C3T
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
SLM7905GD
LED - 電路板指示器，陣列，發光條，條形圖 Bivar Inc LED ASSY VERT 5MM GRN 565NM
SA101A331KAA
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 330PF 100V 10% AXIAL
T491X476M035ZT
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 47UF 35V 20% 2917
T491V336K020AT
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 33UF 20V 10% 2917
SPP80N06S2L-07
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
SLMD121H8
太陽能電池 IXYS 單元 (8) SOLAR CELL
SA101A331KAR
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 330PF 100V 10% AXIAL
T491X686K020AS
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 68UF 20V 10% 2917
SA101E473ZAA
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 0.047UF 100V AXIAL
SP-R-0046-353-103-5%-RH
成角度，線性位置測量 Spectra Symbol TO-220-3 SENSOR SOFTPOT 10K OHM 46MM
T491V476M016ZT
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 47UF 16V 20% 2917

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