STB21NM60N 全國供應商、價格、PDF資料
STB21NM60N詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- 系列：MDmesh™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 8.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 50V
- 功率_最大：140W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
STB21NM60N詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- 系列：MDmesh™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 8.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 50V
- 功率_最大：140W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
STB21NM60N-1詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
- 系列：MDmesh™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 8.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 50V
- 功率_最大：140W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：I2PAK
- 包裝：管件
STB21NM60ND詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- 系列：FDmesh™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 8.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 50V
- 功率_最大：140W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
STB21NM60ND詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- 系列：FDmesh™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 8.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 50V
- 功率_最大：140W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
STB21NM60ND詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- 系列：FDmesh™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 8.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 50V
- 功率_最大：140W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：Digi-Reel®
- 光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Vishay Semiconductor Opto Division 6-DIP（0.300"，7.62mm） OPTOCOUPLER PHOTOTRANS 20% 6DIP
- FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 二極管，整流器 - 陣列 Vishay General Semiconductor TO-277，3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 50V SMPC
- 光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-DIP（0.300"，7.62mm） OPTOCOUPLER TRANS-OUT 6-DIP
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- 二極管，整流器 - 陣列 Vishay General Semiconductor TO-277，3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 60V SMPC
- 光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRANS-OUT 6-SMD
- 光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRANS-OUT 6-SMD
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277，3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 100V SMPC
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277，3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 100V SMP
- 光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） OPTOCOUPLR PHOTO TRANS 2CH 8SOIC
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0755-84507209 
0755-82533534 
0755-82561519 
010-62962871、 
0755-83089975 
13410941925 
0755- 8251939 
0755-83242658 
0755-83244680 
