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STBV42 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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STBV42詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO-92
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 250mA,750mA
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 400mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

STBV42-AP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN FAST SW 400V TO-92
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 250mA,750mA
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 400mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92AP
包裝:帶盒(TB)

STBV42-AP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN FAST SW 400V TO-92
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 250mA,750mA
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 400mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92AP
包裝:剪切帶 (CT)

STBV42D詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN FAST HV TO-92
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 250mA,750mA
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 400mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

STBV42G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 400V 1A TO-92
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 250mA,750mA
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 400mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

STBV42G-AP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 400V FAST SW TO-92AP
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 250mA,750mA
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 400mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92AP
包裝:帶盒(TB)

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