STD20NF06LT4詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:24A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
- 功率_最大:60W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
STD20NF06LT4詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:24A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
- 功率_最大:60W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
STD20NF06LT4詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:24A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
- 功率_最大:60W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
STD20NF06T4詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:24A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:690pF @ 25V
- 功率_最大:60W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
STD20NF06T4詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:24A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:690pF @ 25V
- 功率_最大:60W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
STD20NF06T4詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:24A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:690pF @ 25V
- 功率_最大:60W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- 單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 500MW 3.0V SOD123
- 矩形- 接頭,公引腳 Samtec Inc CONN HEADER 42POS .100" SGL GOLD
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC GATE POS-NOR QUAD 2IN 14TSSOP
- FET - 單 STMicroelectronics TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
- 邏輯 - 移位寄存器 Micrel Inc 28-LCC(J 形引線) IC SHIFT REGISTER 9-BIT 28-PLCC
- 網絡、陣列 Yageo 1206(3216 公制),凹陷 RES ARRAY 100K OHM 4 RES 1206
- FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
- 鉭 Vishay Sprague 2824(7260 公制) CAP TANT 330UF 10V 20% 2824
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC HEX INVERTER 14-SOIC
- 邏輯 - 奇偶校驗發生器和校驗器 Micrel Inc 28-LCC(J 形引線) IC PARITY GEN/CHKER 12BIT 28PLCC
- 網絡、陣列 Yageo 1206(3216 公制),凹陷 RES ARRAY 100 OHM 4 RES 1206
- 單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 500MW 3.6V SOD123
- FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
- 鉭 Vishay Sprague 2824(7260 公制) CAP TANT 330UF 10V 20% 2824
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC HEX INVERTER 14-SOIC
巩义市|
苏尼特右旗|
河西区|
上杭县|
锦屏县|
当涂县|
青川县|
岚皋县|
蓬莱市|
如东县|
进贤县|
枣庄市|
辽中县|
灵丘县|
达日县|
项城市|
海宁市|
新建县|
日喀则市|
梨树县|
渝中区|
汶上县|
张掖市|
卓尼县|
介休市|
东光县|
商都县|
乌兰察布市|
同江市|
丹巴县|
青神县|
沂源县|
建阳市|
盐源县|
尼玛县|
天门市|
山西省|
秦安县|
浮山县|
营口市|
金湖县|