STD30NF06 全國供應商、價格、PDF資料

STD30NF06詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

系列：STripFET™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 25V

功率_最大：70W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：剪切帶 (CT)

STD30NF06詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

系列：STripFET™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 25V

功率_最大：70W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：Digi-Reel®

STD30NF06詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

系列：STripFET™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 25V

功率_最大：70W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

STD30NF06LT4詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 35A DPAK

系列：STripFET™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V

功率_最大：70W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：剪切帶 (CT)

STD30NF06LT4詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 35A DPAK

系列：STripFET™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V

功率_最大：70W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：Digi-Reel®

STD30NF06LT4詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 35A DPAK

系列：STripFET™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V

功率_最大：70W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

• XS2F-M12PUR5S5M

  其它    Omron Electronics Inc-EMC Div        SENSOR I/O CONNECTOR

• VI-J3B-MY-F1

  DC DC Converters    Vicor Corporation    9 針半磚 FinMod    CONVERTER MOD DC/DC 95V 50W

• ZXMP2120E5TA

  FET - 單    Diodes Inc    SC-74A，SOT-753    MOSFET P-CH 200V 122MA SOT23-5

• STD2N62K3

  FET - 單    STMicroelectronics    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK

• Z0109NA,116

  三端雙向可控硅開關    NXP Semiconductors    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    TRIAC 4-QUADRANT 800V 1A TO-92

• SSM3K15AFS,LF

  FET - 單    Toshiba    SC-75，SOT-416    MOSFET N CH 30V 100MA 2-2H1B

• Y17461K00000T9R

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)    3017 J 形引線    RES 1.0K OHM .60W .01% Z-FOIL SM

• ZER-12V-S

  矩形 - 外殼    JST Sales America Inc    8-SIP 模塊    CONN RECEPT HOUSING 12POS ZE

• VI-J3B-MY-F2

  DC DC Converters    Vicor Corporation    9 針半磚 FinMod    CONVERTER MOD DC/DC 95V 50W

• XS2F-M12PUR5S5M

  其它    Omron Electronics Inc-EMC Div        SENSOR I/O CONNECTOR

• Z0109NA0,412

  三端雙向可控硅開關    NXP Semiconductors    TO-226-3、TO-92-3 標準主體     TRIAC 4-QUADRANT 800V 1A TO-92

• SSM3K15AMFV,L3F

  FET - 單    Toshiba    SOT-723    MOSFET N CH 30V 100MA U-MOS III

• ZER-16V-S

  矩形 - 外殼    JST Sales America Inc    8-SIP 模塊    CONN RECEPT HOUSING 16POS ZE

• Y17465K00000T9R

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)    3017 J 形引線    RES 5.0K OHM .60W .01% Z-FOIL SM

• VI-J3B-MY-S

  DC DC Converters    Vicor Corporation    9 針半磚 SlimMod    CONVERTER MOD DC/DC 95V 50W