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STP11NM60詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：650V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1000pF @ 25V; 功率_最大：160W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

STP11NM60A詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO-220; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1211pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

STP11NM60FD詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO-220; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 25V; 功率_最大：160W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

STP11NM60FDFP詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 25V; 功率_最大：35W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應商設備封裝：TO-220FP; 包裝：管件

STP11NM60FP詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1000pF @ 25V; 功率_最大：35W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應商設備封裝：TO-220FP; 包裝：管件

STP11NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 10A TO-220; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 50V; 功率_最大：90W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

STP10NM60ND
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
TP2-MC-1.250
標簽，標記 TE Connectivity 非標準 LABEL IDENTIFICATION TAPE
STPS30M60CG-TR
二極管，整流器 - 陣列 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK
TNPW12064K22BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 4.22K OHM 1/4W 0.1% 1206
SRR6603-2R2ML
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR POWER 2.2UH SMD
STP11NM60FP
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STEVAL-IHT004V1
評估演示板和套件 STMicroelectronics BOARD EVAL HT TRIACS/ST7LITE1B
STPS30M60D
單二極管/整流器 STMicroelectronics TO-220-2 DIODE SCHOTTKY 60V 30A TO-220AC
TP2-R47-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTR THIN CHIP .47UH 2.2A SMD
STEVAL-IKA001V1
配件 STMicroelectronics BOARD EVAL FOR STM32
STPS30M60SR
單二極管/整流器 STMicroelectronics TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA DIODE SCHOTTKY 60V 30A I2PAK
TP3057WMX
接口 - 編解碼器 Texas Instruments * IC INTERFACE ENHANCED SER 16SOIC
SRR6603-680ML
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR 68UH SMD POWER
TNPW12064K64BEEN
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 4.64K OHM 1/4W 0.1% 1206
STP11NM65N
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

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