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SUP85N10 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SUP85N10-10-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:85A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:160nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:6550pF @ 25V
功率_最大:3.75W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:帶卷 (TR)

SUP85N10-10-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:85A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:160nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:6550pF @ 25V
功率_最大:3.75W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:帶卷 (TR)

SUP85N10-10P-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:85A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:120nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4660pF @ 50V
功率_最大:3.75W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:帶卷 (TR)

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