SI2302ADS-T1詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 3.6A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:300pF @ 10V
- 功率_最大:700mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
SI2302ADS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 3.6A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:300pF @ 10V
- 功率_最大:700mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:Digi-Reel®
SI2302ADS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 3.6A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:300pF @ 10V
- 功率_最大:700mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
SI2302ADS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 3.6A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:300pF @ 10V
- 功率_最大:700mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI2302ADS-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 3.6A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:300pF @ 10V
- 功率_最大:700mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
SI2302CDS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V SOT-23
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:57 毫歐 @ 3.6A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):850mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:710mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
- 嵌入式 - DSP(數字式信號處理器) Texas Instruments 338-LFBGA IC DGTL MEDIA SOC 338NFBGA
- 熱敏電阻 - PTC Vishay Dale 1206(3216 公制) THERMISTOR PTC 3.9K OHM 5% 1206
- TVS - 其它復合 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB IC OVP TRIPOLAR TELECOM D2PAK
- FET - 單 Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 7-SIP 模塊(4 引線) CONV DC/DC 2W 12VIN 12VOUT SIP
- TVS - 晶閘管 Bourns Inc. 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) SURGE SUPP 240V BIDIR 8-SOIC
- 鉭 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP TANT 2.2UF 25V 20% 0805
- 嵌入式 - DSP(數字式信號處理器) Texas Instruments 548-BFBGA,FCCSPBGA IC FIXED-POINT DSP 548-FCBGA
- 熱敏電阻 - PTC Vishay Dale 1206(3216 公制) THERMISTOR PTC 3.9K OHM 5% 1206
- TVS - 晶閘管 Bourns Inc. 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) SURGE SUPP 270V BIDIR 8-SOIC
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 4-SIP 模塊 CONV DC/DC 2W 12VIN 9VOUT SIP
- PMIC - AC-DC 轉換器,離線開關 Power Integrations 16-SIP,12 引線,裸露焊盤,成形引線 IC PWR SUPPLY CTLR 280W ESIP-16
- 嵌入式 - DSP(數字式信號處理器) Texas Instruments 548-BBGA,FCBGA IC FIXED-POINT DSP 548-FCBGA
- 固態 Toshiba 8-DIP(0.300",7.62mm) PHOTOCOUPLER PHOTORELAY 8-DIP
- 鉭 AVX Corporation 1210(3225 公制) CAP TANT 100UF 10V 20% 1210
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