Si2305的供應信息|PDF資料|求購Si2305上51電子網

SI2305ADS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 4.1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 4V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2305ADS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 4.1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 4V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2305ADS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 4.1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 4V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2305ADS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 4.1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 4V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2305CDS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 4.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 4V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2305DS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：52 毫歐 @ 3.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1245pF @ 4V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

Si2305供應商

查看更多Si2305的供應商

RW2-243.3S/H2/SMD
DC DC Converters Recom Power 16-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 18-36VIN 3.3VOUT
RT0805FRE0739RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 39.0 OHM 1/8W 1% SMD 0805
SI2305CDS-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
RT0805CRE07113KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 113K OHM 1/8W .25% SMD 0805
MDM-31SH023L
D-Sub ITT Cannon MICRO 31POS SKT 20"
RNCF1206BTE10K0
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 10K OHM 1/8W 0.1% 1206
RNF14GTD390K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 390K OHM 1/4W 2% AXIAL
SD18-680-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR POWER SHIELD 68UH SMD
RW2-243.3S/SMD
DC DC Converters Recom Power 16-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 18-36VIN 3.3VOUT
RT0805CRE07113RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 113 OHM 1/8W .25% SMD 0805
MDM-31SH027L
D-Sub ITT Cannon MICRO 31POS SKT 3"
RNCF1206BTE13K2
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 13.2K OHM 1/8W 0.1% 1206
RNF14GTD3K30
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 3.3K OHM 1/4W 2% AXIAL
RW-2412S
DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模塊（8 引線） CONV DC/DC 3W 18-36VIN 12VOUT
SD18-681-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR POWER SHIELD 680UH SMD