SI2323CDS-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V SOT-23
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫歐 @ 4.6A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1090pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:Digi-Reel®
SI2323CDS-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V SOT-23
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫歐 @ 4.6A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1090pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
SI2323CDS-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V SOT-23
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫歐 @ 4.6A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1090pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI2323DS-T1詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V SOT23
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫歐 @ 4.7A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1020pF @ 10V
- 功率_最大:750mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
SI2323DS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫歐 @ 4.7A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1020pF @ 10V
- 功率_最大:750mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
SI2323DS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫歐 @ 4.7A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1020pF @ 10V
- 功率_最大:750mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:Digi-Reel®
- 矩形- 接頭,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 43POS SNGL GOLD
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Richtek USA Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC REG LDO ADJ .5A 8SOP
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
- 標記 TE Connectivity PowerSO-10 裸露底部焊盤 WIRE & CABLE MARKERS
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS BIDIR 400W 48V 10% SMA
- 模塊 - 插孔 Stewart Connector TO-277,3-PowerDFN CONN MOD JACK R/A 8P8C SHIELDED
- 電路板襯墊,支座 Bivar Inc SCREW SPACER PVC 1.04X.25 #6 GY
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 矩形- 接頭,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 43POS SNGL TIN
- 標記 TE Connectivity PowerSO-10 裸露底部焊盤 MARKER SNAP-ON 5 1.4-1.8MM YELLW
- 模塊 - 插孔 Stewart Connector TO-277,3-PowerDFN CONN MOD JACK R/A 8P8C SHIELDED
- TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AC,SMA DIODE TVS 5.0V 400W UNIDIR SMD
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 電路板襯墊,支座 Bivar Inc SCREW SPACER PVC 1.115X.25 #6 GY
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Richtek USA Inc TO-261-4,TO-261AA IC REG LDO 1.2V 1.5A SOT223
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