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Si2323 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SI2323CDS-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V SOT-23
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫歐 @ 4.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1090pF @ 10V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:Digi-Reel®

SI2323CDS-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V SOT-23
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫歐 @ 4.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1090pF @ 10V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:帶卷 (TR)

SI2323CDS-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V SOT-23
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫歐 @ 4.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1090pF @ 10V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:剪切帶 (CT)

SI2323DS-T1詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V SOT23
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫歐 @ 4.7A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1020pF @ 10V
功率_最大:750mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:帶卷 (TR)

SI2323DS-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫歐 @ 4.7A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1020pF @ 10V
功率_最大:750mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:帶卷 (TR)

SI2323DS-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫歐 @ 4.7A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1020pF @ 10V
功率_最大:750mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:Digi-Reel®

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