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Si5920DC-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SI5920DC-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 8V 1206-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:32 毫歐 @ 6.8A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 4V
功率_最大:3.12W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
包裝:剪切帶 (CT)

SI5920DC-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 8V 1206-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:32 毫歐 @ 6.8A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 4V
功率_最大:3.12W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
包裝:Digi-Reel®

SI5920DC-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 8V 1206-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:32 毫歐 @ 6.8A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 4V
功率_最大:3.12W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
包裝:帶卷 (TR)

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