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si2318 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SI2318DS-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 20V
功率_最大:750mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:Digi-Reel®

SI2318DS-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
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輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 20V
功率_最大:750mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:帶卷 (TR)

SI2318DS-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
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輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 20V
功率_最大:750mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:剪切帶 (CT)

SI2318DS-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 40V SOT-23
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 20V
功率_最大:750mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:剪切帶 (CT)

SI2318DS-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 40V SOT-23
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 20V
功率_最大:750mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:帶卷 (TR)

SI2318DS-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 40V SOT-23
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 20V
功率_最大:750mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:Digi-Reel®

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