TK10A60D(Q,M)詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:750 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1350pF @ 25V
- 功率_最大:45W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝:TO-220SIS
- 包裝:管件
TK10A60D(STA4,Q,M)詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:750 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1350pF @ 25V
- 功率_最大:45W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝:TO-220SIS
- 包裝:管件
- TVS - 二極管 Microsemi Commercial Components Group DO-216AA TVS BIDIRECT 1000W 5V POWERMITE1
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.7V .2A 6SON
- 標簽,標記 Panduit Corp LABEL LSR POLY WHT 2.00 X 0.33"
- FET - 單 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP GP 2.2MHZ QUAD 14SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 模塊 CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
- 電容器 Nichicon 徑向,Can CAP ALUM 330UF 200V 20% RADIAL
- 電容器 Nichicon 徑向,Can CAP ALUM 150UF 420V 20% RADIAL
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 5-UFBGA,DSBGA IC REG LDO 2.8V .2A 5-DSBGA
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP GP 2.2MHZ QUAD 14SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 模塊 CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
- 電容器 Nichicon 徑向,Can CAP ALUM 56UF 420V 20% RADIAL
- 電容器 Nichicon 徑向,Can CAP ALUM 4.7UF 200V 20% RADIAL
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS PREBIASED DUAL SOT666
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments SOT-23-5 細型,TSOT-23-5 IC REG LDO 3V .2A TSOT23-5
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