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TPC8018-H(TE12L)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：剪切帶 (CT)

TPC8018-H(TE12L)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：帶卷 (TR)

TPC8018-H(TE12L)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：Digi-Reel®

TPC8018-H(TE12L,Q)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：剪切帶 (CT)

TPC8018-H(TE12L,Q)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：Digi-Reel®

TPC8018-H(TE12L,Q)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：帶卷 (TR)

TPS73230DCQRG4
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments SOT-223-6 IC REG LDO 3V .25A SOT223-6
TPC8017-H(TE12L)
FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOP
T95V225M025CZAL
鉭 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 2.2UF 25V 20% 1410
TPS75233QPWP
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）裸露焊盤 IC REG LDO 3.3V 2A 20-HTSSOP
TPS73233DBVR
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 3.3V .25A SOT23-5
TRF371109IRGZT
RF 解調器 Texas Instruments 48-VFQFN 裸露焊盤 IC IQ DEMODULATOR 48VQFN
TPC8018-H(TE12L,Q)
FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
T95V225M025EZAL
鉭 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 2.2UF 25V 20% 1410
TPS75233QPWPR
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）裸露焊盤 IC REG LDO 3.3V 2A 20-HTSSOP
T95V225M025HSAL
鉭 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 2.2UF 25V 20% 1410
TRF371109IRGZT
RF 解調器 Texas Instruments 48-VFQFN 裸露焊盤 IC IQ DEMODULATOR 48VQFN
TPS73250DCQ
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments SOT-223-6 IC REG LDO 5V .25A SOT223-6
TPC8018-H(TE12LQM)
FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
T95V225M025HZSL
鉭 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 2.2UF 25V 20% 1410
TPS75233QPWPREP
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）裸露焊盤 IC REG LDO 3.3V 2A 20HTSSOP

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