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TPCF8101 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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TPCF8101(TE85L)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:VS-8(2.9x1.9)
包裝:剪切帶 (CT)

TPCF8101(TE85L)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:VS-8(2.9x1.9)
包裝:帶卷 (TR)

TPCF8101(TE85L,F,M詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:VS-8(2.9x1.9)
包裝:剪切帶 (CT)

TPCF8101(TE85L,F,M詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:VS-8(2.9x1.9)
包裝:Digi-Reel®

TPCF8101(TE85L,F,M詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:VS-8(2.9x1.9)
包裝:帶卷 (TR)

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