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TPCS810 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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TPCS8102(TE12L)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 6A 8-TSSOP
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫歐 @ 3A,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2740pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-TSSOP
包裝:剪切帶 (CT)

TPCS8102(TE12L)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 6A 8-TSSOP
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫歐 @ 3A,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2740pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-TSSOP
包裝:帶卷 (TR)

TPCS8102(TE12L)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 6A 8-TSSOP
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫歐 @ 3A,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2740pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-TSSOP
包裝:Digi-Reel®

TPCS8102(TE12L,Q)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH SGL -20V -6A TSSOP-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫歐 @ 3A,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2740pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-TSSOP
包裝:剪切帶 (CT)

TPCS8102(TE12L,Q)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH SGL -20V -6A TSSOP-8
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫歐 @ 3A,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2740pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-TSSOP
包裝:帶卷 (TR)

TPCS8104(TE12L,Q)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8TSSOP
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 5.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:107nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5710pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-TSSOP
包裝:帶卷 (TR)

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