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UPA2719 全國供應商、價格、PDF資料

UPA2719AGR-E1-AT詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET LV 8SOP; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2010pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-PSOP; 包裝：帶卷 (TR)

UPA2719AGR-E1-AT詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET LV 8SOP; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2010pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-PSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

UPA2719AGR-E1-AT詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET LV 8SOP; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2010pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-PSOP; 包裝：Digi-Reel®

UPA2719AGR-E2-AT詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2010pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-PSOP; 包裝：帶卷 (TR)

TNPW040248K7BETD
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 48.7K OHM 1/16W 0.1% 0402
TNPW080524K9BEEA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 24.9K OHM 1/8W 0.1% 0805
UPA1V272MHD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 2700UF 35V 20% RADIAL
TO-206-215
電路板襯墊，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
UPA2716AGR-E1-AT
FET - 單 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET LV 8SOP
UVZ2E220MHH
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 22UF 250V 20% RADIAL
TNPW2010330KBEEY
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 330K OHM .40W 0.1% 2010
TO-207-060E
電路板襯墊，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
TNPW040249K9BEED
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 49.9K OHM 1/16W 0.1% 0402
TO-207-070H
電路板襯墊，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
UPA2756GR-E2-AT
FET - 陣列 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC
TNPW2010332KBETF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 332K OHM .40W 0.1% 2010
TO-207-090E
電路板襯墊，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
UVZ2E331MRH
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 330UF 250V 20% RADIAL
TNPW080524R0BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805