UPA2756GR-E1-AT詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Renesas Electronics America
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫歐 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-PSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
UPA2756GR-E2-AT詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Renesas Electronics America
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫歐 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-PSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
- 電容器 Nichicon 徑向,Can CAP ALUM 2700UF 35V 20% RADIAL
- 電路板襯墊,支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- FET - 單 Renesas Electronics America 8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) MOSFET LV 8SOP
- 電容器 Nichicon 徑向,Can CAP ALUM 22UF 250V 20% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 330K OHM .40W 0.1% 2010
- 電路板襯墊,支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402(1005 公制) RES 49.9K OHM 1/16W 0.1% 0402
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805
- FET - 單 Renesas Electronics America 8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 332K OHM .40W 0.1% 2010
- 電路板襯墊,支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- 電容器 Nichicon 徑向,Can CAP ALUM 330UF 250V 20% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402(1005 公制) RES 49.9 OHM 1/16W 0.1% 0402
- FET - 陣列 Renesas Electronics America 8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
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