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US6M2TR 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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US6M2TR詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V,20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A,1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:TUMT6
包裝:Digi-Reel®

US6M2TR詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V,20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A,1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:TUMT6
包裝:帶卷 (TR)

US6M2TR詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V,20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A,1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:TUMT6
包裝:剪切帶 (CT)

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