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VN10LP 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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VN10LP詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:270mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:60pF @ 25V
功率_最大:625mW
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

VN10LPSTOA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH DMOS 60V TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:270mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:60pF @ 25V
功率_最大:625mW
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

VN10LPSTOA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH DMOS 60V TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:270mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:60pF @ 25V
功率_最大:625mW
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:剪切帶 (CT)

VN10LPSTOB詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:270mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:60pF @ 25V
功率_最大:625mW
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

VN10LPSTZ詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:270mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:60pF @ 25V
功率_最大:625mW
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶盒(TB)

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