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VND810M 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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VND810MSP詳細規格

類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關
描述:IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10
系列:VIPower™
制造商:STMicroelectronics
類型:高端
輸入類型:非反相
輸出數:2
導通電阻:150 毫歐
電流_輸出/通道:-
電流_峰值輸出:900mA
電壓_電源:5.5 V ~ 36 V
工作溫度:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤
供應商器件封裝:PowerSO-10
包裝:管件

VND810MSP13TR詳細規格

類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關
描述:IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10
系列:VIPower™
制造商:STMicroelectronics
類型:高端
輸入類型:非反相
輸出數:2
導通電阻:150 毫歐
電流_輸出/通道:-
電流_峰值輸出:900mA
電壓_電源:5.5 V ~ 36 V
工作溫度:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤
供應商器件封裝:PowerSO-10
包裝:帶卷 (TR)

VND810MSP-E詳細規格

類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關
描述:IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10
系列:VIPower™
制造商:STMicroelectronics
類型:高端
輸入類型:非反相
輸出數:2
導通電阻:150 毫歐
電流_輸出/通道:-
電流_峰值輸出:900mA
電壓_電源:5.5 V ~ 36 V
工作溫度:-40°C ~ 150°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤
供應商器件封裝:PowerSO-10
包裝:管件

VND810MSPTR-E詳細規格

類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關
描述:IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10
系列:VIPower™
制造商:STMicroelectronics
類型:高端
輸入類型:非反相
輸出數:2
導通電阻:150 毫歐
電流_輸出/通道:-
電流_峰值輸出:900mA
電壓_電源:5.5 V ~ 36 V
工作溫度:-40°C ~ 150°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤
供應商器件封裝:PowerSO-10
包裝:帶卷 (TR)

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