ZXMC3A16DN8的供應信息|PDF資料|求購ZXMC3A16DN8上51電子網

ZXMC3A16DN8TA詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 5.4A 8SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.9A，4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：796pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

ZXMC3A16DN8TA詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.9A，4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：796pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMC3A16DN8TA詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 5.4A 8SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.9A，4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：796pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMC3A16DN8TC詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.9A，4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：796pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMC3A16DN8TC詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.9A，4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：796pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMC3A16DN8TC詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.9A，4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：796pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

Y92E-ES08
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CAP REPLACMNT FOR M8 PROX SHIELD
ZG2-DSU11
專用 Omron Electronics Inc-IA Div 36-DFN 模塊 ZG2 DATALOGGER UNIT NPN OUT
VI-BNP-MW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 100W
ZXM64N035GTA
FET - 單 Diodes Inc TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
YC124-JR-0762RL
網絡、陣列 Yageo 0804（2010 公制），凸起 RES ARRAY 62 OHM 4 RES 0804
XTEARY-00-0000-000000K06
LED - 高亮度，電源 Cree Inc 2-SMD，無引線，裸露焊盤 LED XLAMP ROYAL BLUE
VI-B74-IY-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
VI-BT3-EW-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 100W
Y92E-ES08
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CAP REPLACMNT FOR M8 PROX SHIELD
VI-BNP-MX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 75W
YC124-JR-0762RL
網絡、陣列 Yageo 0804（2010 公制），凸起 RES ARRAY 62 OHM 4 RES 0804
XTEARY-00-0000-000000L06
LED - 高亮度，電源 Cree Inc 2-SMD，無引線，裸露焊盤 LED XLAMP ROYAL BLUE
VI-BT3-EX-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 75W
VI-B74-IY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
Y92E-ES08
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CAP REPLACMNT FOR M8 PROX SHIELD

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