ZXMN10A08DN8TA詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 3.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 50V
- 功率_最大:1.25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
ZXMN10A08DN8TA詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 3.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 50V
- 功率_最大:1.25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
ZXMN10A08DN8TA詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 3.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 50V
- 功率_最大:1.25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOP
- 包裝:帶卷 (TR)
ZXMN10A08DN8TC詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 3.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 50V
- 功率_最大:1.25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOP
- 包裝:帶卷 (TR)
ZXMN10A08E6TA詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 3.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 50V
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-23-6
- 供應商設備封裝:SOT-23-6
- 包裝:Digi-Reel®
ZXMN10A08E6TA詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 3.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 50V
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-23-6
- 供應商設備封裝:SOT-23-6
- 包裝:帶卷 (TR)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES 82.0K OHM 1/3W 0.1% 1210
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 3.65K OHM .40W 0.1% 2010
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div COMMUNICATION INTERFACE RS232
- FET - 單 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
- 陶瓷 Vishay Vitramon 2220(5650 公制) CAP CER 4700PF 1KV 5% NP0 2220
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1812(4532 公制) CAP CER 0.022UF 500V X7R 1812
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 60W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 75W
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 3.83K OHM .40W 0.1% 2010
- 陶瓷 Vishay Vitramon 2220(5650 公制) CAP CER 4700PF 200V 10% NP0 2220
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1812(4532 公制) CAP CER 0.022UF 500V X7R 1812
- 晶體管(BJT) - 單路 Diodes Inc SOT-23-6 TRANSISTOR NPN 20V SOT23-6
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 BusMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 50W
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES 82.5 OHM 1/3W 0.1% 1210
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