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BSS131 H6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：240V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：110mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 歐姆 @ 100mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 56µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：77pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS131 H6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：240V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：110mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 歐姆 @ 100mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 56µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：77pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS131 H6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 240V 110mA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：240V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：110mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 歐姆 @ 100mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 56µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：77pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS131 L6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：240V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：110mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 歐姆 @ 100mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 56µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：77pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS131E6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：240V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：110mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 歐姆 @ 100mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 56µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：77pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS131E6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：240V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：110mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 歐姆 @ 100mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 56µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：77pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

C0805C620J5GALTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 62PF 50V 5% NP0 0805
C1005X5R1H152K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1500PF 50V 10% X5R 0402
BU29TD3WG-TR
PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC REG LDO 2.9V .2A 5SSOP
B72520T250K72
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc VARISTOR CT1206K25G2
BSS127SSN-7
FET - 單 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
BZ-2RQW1-A2
快動，限位，拉桿 Honeywell Sensing and Control TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SWITCH WOBBLE SPDT 15A SCREW
C0805C620K5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 62PF 50V 10% NP0 0805
741X083472J
網絡、陣列 CTS Resistor Products 0804（2010 公制），凸起 RES ARRAY 4.7K OHM 4 RES 0804
C1005X5R1H152K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1500PF 50V 10% X5R 0402
B72520T500K62
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc VARISTOR CT1206K50G
C0805C620K5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 62PF 50V 10% NP0 0805
741X083472JP
網絡、陣列 CTS Resistor Products 0804（2010 公制），凸起 RES ARRAY 4.7K OHM 4 RES 0804
BZ-2RS
快動，限位，拉桿 Honeywell Sensing and Control 0804（2010 公制），凸起 SWTCH OVRTRVL PLGR SPDT 15A 250V
BU-3030-A-12-2
測試引線 - 跳線，專用型 Mueller Electric Co 0804（2010 公制），凸起 CORD ALLI CLIP-ALLI CLIP 12" RED
C1005X5R1H152K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1500PF 50V 10% X5R 0402

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