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BSS138LT3G 全國供應商、價格、PDF資料

BSS138LT3G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 200mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BSS138LT3G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 200mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

BFC238362152
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 1500PF 2KVDC RADIAL
BQ294522DRVR
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盤 IC BATT FUEL GAUGE OVP 6SON
C322C154M5U5CA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 0.15UF 50V 20% RADIAL
BSS138K
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3
C0805C395M8PACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.9UF 10V 20% X5R 0805
B41252B158M
電容器 EPCOS Inc 1500UF 80V 25.4X30 SNAP IN
C0805C153J2RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.015UF 200V 5% X7R 0805
7-1879685-1
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 66.5K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
BFC238362182
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 1800PF 2KVDC RADIAL
C322C154M5U5CA7301
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 0.15UF 50V 20% RADIAL
C0805C153J3RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.015UF 25V 5% X7R 0805
B41252B478M
電容器 EPCOS Inc 4700UF 80V 35X40 SNAP IN
C0805C399C5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.9PF 50V NP0 0805
7-1879687-0
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 52.3 OHM 1/2W 0.1% AXIAL
BQ294582DRVT
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盤 IC BATT/PROT 2-3CELL LIION 6SON