BSS84 全國供應商、價格、PDF資料

BSS84詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：50V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：130mA

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 歐姆 @ 100mA，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.3nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：73pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：剪切帶 (CT)

BSS84詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：50V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：130mA

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 歐姆 @ 100mA，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.3nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：73pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：帶卷 (TR)

BSS84詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：50V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：130mA

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 歐姆 @ 100mA，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.3nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：73pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：Digi-Reel®

BSS84,215詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：50V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：130mA

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 歐姆 @ 130mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：-

輸入電容333Ciss4440a0Vds：45pF @ 25V

功率_最大：250mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

BSS84,215詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：50V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：130mA

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 歐姆 @ 130mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：-

輸入電容333Ciss4440a0Vds：45pF @ 25V

功率_最大：250mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BSS84,215詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：50V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：130mA

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 歐姆 @ 130mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：-

輸入電容333Ciss4440a0Vds：45pF @ 25V

功率_最大：250mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：Digi-Reel®

• B76004E6879M040

  鉭    Kemet    2917（7343 公制）    CAP TANT 680UF 4V 20% 2917

• C1005X6S0G105M

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 1UF 4V 20% X6S 0402

• BU32TD3WG-TR

  PMIC - 穩壓器 - 線性    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC REG LDO 3.2V .2A 5SSOP

• BSS83PL6327

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23

• BZ-2RW89999-A2

  快動，限位，拉桿    Honeywell Sensing and Control    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    SWITCH STRGHT LVR SPDT 15A SCREW

• C0805C681K1GALTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 680PF 100V 10% NP0 0805

• 74270031

  用于線纜和布線的鐵氧體芯體    Wurth Electronics Inc    11.50mm 外徑 x 5.00mm 內徑 x 20.50mm L    FERRITE CORE 11.5MM OD

• B76006D2279M45K14

  鉭    Kemet    2917（7343 公制）    CAP TANT 220UF 6.3V 20% 2917

• C1005X6S0G105M

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 1UF 4V 20% X6S 0402

• 74270044

  用于線纜和布線的鐵氧體芯體    Wurth Electronics Inc    15.85mm 外徑 x 7.93mm 內徑 x 50.80mm L    FERRITE CORE 15.85MM OD

• C0805C681K2RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 680PF 200V 10% X7R 0805

• BZ-3AD-PC2

  快動，限位，拉桿    Honeywell Sensing and Control    0805（2012 公制）    SWITCH PLUNGER SPDT 15A SCREW

• B76006E4779M035

  鉭    Kemet    2917（7343 公制）    CAP TANT 470UF 6.3V 20% 2917

• C1005X6S0G105M

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 1UF 4V 20% X6S 0402

• BU33TA2WNVX-TR

  PMIC - 穩壓器 - 線性    Rohm Semiconductor    4-UDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 3.3V .2A 4-SSON