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BSS84P-E6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 170mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS84P-E6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 170mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

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