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BSS84W 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSS84W-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:130mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 100mA,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:SOT-323
包裝:剪切帶 (CT)

BSS84W-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:130mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 100mA,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:SOT-323
包裝:帶卷 (TR)

BSS84W-7-F詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:130mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 100mA,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:SOT-323
包裝:帶卷 (TR)

BSS84W-7-F詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:130mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 100mA,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:SOT-323
包裝:剪切帶 (CT)

BSS84W-7-F詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:130mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 100mA,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:SOT-323
包裝:Digi-Reel®

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