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IRF730詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 歐姆 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF730詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 歐姆 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF7301PBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 2.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7301TRPBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 2.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7301TRPBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 2.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7301TRPBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 2.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IVS8H-5Q0-2L0-2Q0-5U0-00-B
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KMR211NG LFS
觸摸 C&K Components 徑向，Can - 卡入式 SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 32V
IRF730
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
IRF7834PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
KPSE02E12-3SW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS BOX MNT SKT
K470K15C0GH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 47PF 100V 10% RADIAL
KPT06E14-5PDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 5POS W/PIN CABLE
IVS8H-5Q1-5Q1-5Q1-83-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
LM4050CIM3-2.5
PMIC - 電壓基準 Texas Instruments IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT-23-3
IRF7853PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
KPT06E14-5S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 5POS CABLE SKT
K470K15C0GH58L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 47PF 100V 10% RADIAL
KPSE02E12-3SW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS BOX MNT SKT
IVS8H-5V0-5V0-5V0-2Q0-80-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KMR232G ULC LFS
觸摸 C&K Components 徑向，Can - 卡入式 SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 32V

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