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ZTX105 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZTX1051A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 40V 5000MA TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):210mV @ 100mA,4A
電流_集電極截止(最大):10nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:155MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

ZTX1051ASTOA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN HIGH CURR TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):210mV @ 100mA,4A
電流_集電極截止(最大):10nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:155MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

ZTX1051ASTOB詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN HIGH CURR TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):210mV @ 100mA,4A
電流_集電極截止(最大):10nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:155MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

ZTX1051ASTZ詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN HIGH CURR TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):210mV @ 100mA,4A
電流_集電極截止(最大):10nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:155MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶盒(TB)

ZTX1053A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 75V 3000MA TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):75V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):350mV @ 100mA,3A
電流_集電極截止(最大):10nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

ZTX1053ASTOA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN HIGH CURR TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):75V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):350mV @ 100mA,3A
電流_集電極截止(最大):10nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

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