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ZTX114 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZTX1147A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP -12V -4000MA TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):235mV @ 70mA,4A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:115MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

ZTX1147ASTOA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP HIGH GAIN TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):235mV @ 70mA,4A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:115MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

ZTX1147ASTOB詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP HIGH GAIN TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):235mV @ 70mA,4A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:115MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

ZTX1147ASTZ詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP HIGH GAIN TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):235mV @ 70mA,4A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:115MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶盒(TB)

ZTX1149A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP -25V -3000MA TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 70mA,3A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:135MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

ZTX1149ASTOA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP HIGH GAIN TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 70mA,3A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:135MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

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